国家标准计划《太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 南京集溢半导体科技有限公司 、大庆溢泰半导体材料有限公司 、中科晶宇芯源(大庆)半导体材料有限公司 、中国科学院半导体所 、云南鑫耀半导体材料有限公司 、中山德华芯片技术有限公司 。

砷化镓是当前主流的化合物半导体材料之一，其发展可以分为三个阶段。

第一阶段自20世纪60年代，砷化镓衬底开始应用于LED及太阳能电池，并在随后30年主要应用于航空领域。

第二阶段自20世纪90年代起，随着移动设备的普及，砷化镓衬底用于移动设备的射频器件中。

第三阶段自2010年起，随着LED及智能手机的普及，砷化镓衬底进入了规模化应用阶段，特别是随着航空航天的发展及太阳能无人机进一步研究，都扩大了半导体砷化镓柔性电池的应用。

砷化镓是典型的III-V族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV（300K），正好为高吸收率太阳光的值，因此是理想的太阳能电池材料。

其主要特点如下：（1）光电转换效率高，在可见光范围内GaAs材料的光吸收率系数远高于Si材料。

同样吸收95%的太阳光，GaAs电池只需5～10μm的厚度，而Si太阳能电池则需要大于150um，因此GaAs太阳能电池能制成薄膜，使用的砷化镓材料可大幅减少；（2）耐高温性能好；（3）抗辐射性能强；（4）多结叠层太阳能电池。

目前国内太阳能电池用砷化镓衬底片，年产量40万片，年产值5000万元左右，基本上自给自足。

太阳能电池相关的砷化镓标准有两个，即GB/T 35305—2017《太阳能电池用砷化镓单晶抛光片》和GB/T 25075—2010 《太阳能电池用砷化镓单晶》，其中太阳能用砷化镓单晶是太阳能电池用砷化镓单晶抛光布的前端，根据国标体系优化几结论，将两个标准整合修订为一个标准《太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片》。

标准整合修订过程中，将结合行业实际生产和使用情况，更改厚度范围、平整度（TIR）、总厚度变化（TTV）、弯曲度（Bow）、翘曲度（Warp）、表面质量等要求，增加晶向偏离度、截面电阻率均匀性等要求，以促进太阳能电池用砷化镓抛光片的发展，满足市场需求和促进技术进步。

本次修订的太阳能电池用砷化镓单晶抛光片与GB/T 35305-2017相比，主要技术变动如下： a）增加“Ф150 mm、Ф200 mm”直径规格； b）更改电学性能、晶向及晶向偏离角度、平均位错密度和位错密度最大值、参考面的取向、形状和尺寸或切口； c）更改厚度范围、修改平整度（TIR）、总厚度变化（TTV）、弯曲度（Bow）、翘曲度（Warp）； d）删除强度规定； e) 更改表面质量要求。