国家标准计划《半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 上海复旦微电子集团股份有限公司 、复旦大学 、之江实验室 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62951-9:2022。

采标中文名称:半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法。

随着信息时代的不断发展，存储器在社会发展中起到的作用越来越大。

电荷俘获型存储器逐渐走向物理尺寸极限，急需新型的存储机制取代浮栅结构，并使用全新的非挥发存储器来代替flash存储技术。

其中，电阻存储器（RRAM）具有器件结构简单，可重复擦写，制备工艺与传统CMOS工艺技术完美兼容，存储阵列结构紧凑，在高密度存储方面具有明显优势。

1T1R电阻存储单元是电阻存储器中的核心基本单元，对存储器的质量和可靠性起着关键作用。

本标准用于统一和规定一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法，该测试方法是评价电阻式存储单元质量和性能的重要且基础的测试方法。

本标准等同采用IEC 62951-9：2022，可填补国内相关领域标准的空白，使我国的电阻式存储单元测试方法和器件性能指标与国际接轨，从而便于增强我国电阻式存储单元器件的进出口贸易以及实现进口产品的国产替代。

依照本标准进行测试，得到的测试结果可以较为全面客观的为一晶体管一电阻式电阻存储单元性能评估提供依据。

本标准规定了单极型一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法。本文件中的测试方法所测试的性能包括读、形成、置位、复位、耐久性和保持性。本标准适用于消费级，工业级，军用级以及其他电子应用领域的柔性和刚性电阻式存储器，不受器件的工艺和尺寸限制。 本标准的主要技术内容包括一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元相关的术语和定义、试验装置（测试设备，被测器件）、测试激励的施加方法、测试流程、结果观测和数据处理的方法，以及测试报告。测试流程和方法，涵盖读、形成、复位、置位等过程的测试，以及耐久性和保持性等器件特性的测试。