国家标准计划《半导体器件 微电子机械器件 第 11 部分:悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、中国电子技术标准化研究院 、中科院微电子所 、东南大学 。
31 电子学 |
31.200 集成电路、微电子学 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-11:2013。
采标中文名称:半导体器件 微电子机械器件 第 11 部分:悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法。
MEMS传感器作为获取信息的关键器件,对各种传感装置的微型化起着巨大的推动作用,已在太空卫星、运载火箭、航空航天设备、飞机、各种车辆、生物医学及消费电子产品等领域中得到了广泛的应用。
MEMS传感器涉及到电、热、力等多物理场的耦合,结构材料的电、热、力等性能参数都会影响MEMS产品的性能及其可靠性,因此,对于MEMS材料的线性热膨胀系数的测试,对于MEMS器件的设计及应用都具有重要意义。
本标准是IEC 62047《半导体器件 微电子机械器件》系列标准中的第11部分,用来规定MEMS结构材料线性热膨胀系数(CLTE)的测试方法。
应用于MEMS材料线性热膨胀系数的(CLTE)测试方法的国内标准是空缺的,所以迫切需要相关标准的制定,规范产品向标准化、系列化的方向发展,保证产品质量,提高我国产品可靠性和竞争力,为指导企业设计、生产和使用MEMS传感器提供科学可靠的依据。
同时补充完善MEMS标准体系,为MEMS行业的发展发挥指导作用。
本标准采用翻译法,等同采用IEC 62047-11:2013,除编辑性修改外,标准的结构和内容与原标准保持一致。 标准规定了用来测量薄的、悬空的固体MEMS材料(金属,陶瓷,聚合物等)的线性热膨胀系数(CLTE)测试方法,其长度在0.1mm到1mm之间,宽度10μm到1mm,厚度0.1μm到1mm之间。这些材料为MEMS、微机械及其它结构的主要材料。该测试方法适用于室温到材料的熔化温度的30%的温度范围内的CLTE测定。