国家标准计划《半导体集成电路 嵌入式存储器测试方法》由 TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 存心科技（北京）有限公司 、中国电子技术标准化研究院 、中芯国际集成电路制造公司 、华力集成电路制造公司 、华为技术 、格存科技（上海）有限公司 、国家集成电路创新中心 、东亘微电子研究院 、清华大学 、北京大学 、复旦大学 、致存科技（深圳）有限公司 、新忆半导体 、昕原半导体 、锐科微半导体 、驰拓半导体 、亘存技术 、致真存储半导体 、派字节科技 、SST（eFlash） 。

存储器是现代信息系统最关键的芯片之一，已经形成主要由DRAM、NAND Flash以及NOR Flash构成的超千亿美元的市场。

物联网(IoT)、人工智能(AI)、5G、工业4.0等应用推升信息量呈现爆炸性的成长，从边缘到云端的多个层级进行处理和传输、储存和分析，DRAM和NAND/NOR Flash等传统存储器已逐渐无法满足性能需求，同时传统存储器的制程微缩接近极限，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新型存储器，主要包括磁阻式随机存取记忆体(MRAM)、铁电随机存取记忆体(FeRAM)、电阻式随机存取记忆体(RRAM)和相变随机存取记忆体(PCRAM)等。

由于历史原因，我国存储器产业处于较落后地步，DRAM和NAND Flash主流存储器韩国、日本、美国以及台湾占据95%以上市场份额，NOR Flash作为非主流存储器我们企业近些年取得了~20%市场份额，在传统存储技术的追赶有比较大的挑战。

而新型存储器技术，处于产业早期阶段，还未形成国际优势企业，但由于性能、成本优势以及工艺微缩潜力，这些新型存储技术在不同应用领域表现出了显著的发展潜力，尤其在嵌入式应用领域，如MRAM替代eSRAM及DRAM，RRAM替代eFlash及NAND，FeRAM实现FeFET及替代DRAM，PCRAM实现SCM应用等。

在这些新型领域的提前布局可以帮助我国企业在新赛道实现领先机会。

在新型存储器产业发展早期阶段，不同的企业发展自己测试方法，不同的测试条件和结果判断标准，互相企业技术/产品之间不通用，上下游对产品评价不一致问题比较明显，亟需联合国内上、下游优势企业和科研院所，制定新型存储器嵌入式存储器统一测试要求规范，推动产业快速、规范发展，促进我国在新型存储器产业的领先，并带动全球行业的快速成熟。

因此标准制定具有产业和国家重大意义。

标准适用范围： 新型嵌入式存储器测试方法、流程和标准，为IP提供商、晶圆厂Foudry、设计公司、测试公司提供统一的测试要求规范。 标准的技术内容： 1）嵌入式存储器IP信息查询。测试前查询查询eNVM的的类型（RRAM、MRAM、FeRAM、PCRAM等）以及容量、支持指令、主要性能指标等参数，可以根据参数表格进行针对性测试； 2）指令及功能测试，根据用户手册或对器件查询到的参数列表进行功能测试，涵盖工作操作的电压范围和温度范围。 3）静态DC参数测试，包含输入/输出电平参数，电流参数，驱动能力，漏电电流，动态/静态功耗等； 4）动态AC参数测试，包括时钟频率，输入建立/保持时间，输出状态变化时间，读/写操作性能等； 5）可靠性测试，包括器件寿命测试，数据保持时间Data retention，P/E write耐久性Endurance，Read/Write干扰Disturb，以及与不同存储技术对应的专有测试等