国家标准计划《三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法》由 TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 。

本标准修改采用IEC国际标准：IEC 63011-3:2018。

采标中文名称:三维集成电路 第3部分：通孔模型及测试方法。

本标准规定了传输和接收数字数据的硅通孔（TSV）电气特性的参考模型，用于三维集成电路（3D IC）接口设计，以及3D IC中表征TSV特性的电阻和电容测试方法。 本标准修改采用IEC 63011-3:2018，该标准中电阻测试、电容测试内容相对简单，作为标准不能有效指导TSV模型的测试，拟细化电阻测试、电容测试，补充测试条件、测试程序。