国家标准项目《金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 中国科学院半导体研究所 、德州学院 、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 、江苏卓远半导体有限责任公司 、北京聚睿众邦科技有限公司 、吉林大学 、安徽光智科技有限公司 。

本标准规定了利用干法刻蚀结合显微观察测试半导体金刚石单晶位错密度的方法。本标准适用于具有光滑表面的半导体金刚石单晶衬底和外延材料。 测试原理：对半导体金刚石单晶抛光片采用氢气+氧气干法刻蚀处理。氧原子优先和位错周围的金刚石的弱化学键进行反应，使得半导体金刚石单晶抛光片表面位错区域刻蚀速率较快，而对其他区域的刻蚀速率较慢。这样经过处理后，位错区域就会出现位错坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的刻蚀坑，单位视场面积内的刻蚀坑个数即为位错密度。