国家标准计划《硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 洛阳中硅高科技有限公司 、南京中锗科技股份有限公司 、上海新昇半导体科技有限公司 、唐山三孚电子材料有限公司 、新疆大全新能源股份有限公司 、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 。

硅外延用三氯氢硅是半导体行业不可或缺的重要电子特种气体原材料，符合2016年国家商务部发布《鼓励进口技术和产品目录》，其中明确“？半导体、光电子元件、新型电子元件等电子产品用材料制造”为国家鼓励发展的重点行业，行业序号C30。

当前，我国集成电路行业快速增长，对硅外延用三氯氢硅需求呈日益增长态势。

但由于硅外延用三氯氢硅生产和制造存在非常高的技术要求，因此主要依赖进口，国外主要的生产商是日本信越。

硅外延用三氯氢硅特种气体国产化研究对我国集成电路行业发展意义重大，值得深入研究应用。

硅外延用三氯氢硅是电子工业用的新型硅源气体，是广泛用于生产半导体器件的关键原料。

硅外延用三氯氢硅中微量的杂质元素如硼、磷、铁等会对硅外延片的电学性能产生重要影响，金属元素对硅片表面杂质分布也有影响，因此，为了满足各种半导体器件的需要，使半导体器件得到所需求的电参数，对硅外延用三氯氢硅中杂质含量的分析控制是保证产品质量的重要环节。

由于目前我国硅外延用三氯氢硅有90%依赖进口，国内外也没有相应的硅外延用三氯氢硅杂质分析方法。

我公司为了顺应市场需求，在产品研发的同时，开发建立了三氯氢硅杂质含量的测定方法，为保证产品品质提供了强有力的保障。

本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）测定硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素含量的方法。适用于硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素含量的测定。 原理：在三氯氢硅中加入甘露醇，甘露醇与三氯氢硅中的硼生成稳定的络合物，在加热条件下去除大量基体，杂质残留于器皿中，用硝酸溶液溶解，制备成待测样品。样品在载气的作用下进入高频等离子体炬焰中，在高温下被充分电离，产生的离子经过离子采集装置后进入质量分离器，质量分离器根据离子的质荷比进行分离，根据待测元素信号响应值测定含量。