国家标准计划《硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 洛阳中硅高科技有限公司 、南京中锗科技股份有限公司 、上海新昇半导体科技有限公司 、唐山三孚电子材料有限公司 、新疆大全新能源股份有限公司 、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 。

本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）测定硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素含量的方法。适用于硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素含量的测定。 原理：在三氯氢硅中加入甘露醇，甘露醇与三氯氢硅中的硼生成稳定的络合物，在加热条件下去除大量基体，杂质残留于器皿中，用硝酸溶液溶解，制备成待测样品。样品在载气的作用下进入高频等离子体炬焰中，在高温下被充分电离，产生的离子经过离子采集装置后进入质量分离器，质量分离器根据离子的质荷比进行分离，根据待测元素信号响应值测定含量。