国家标准计划《氮化铝单晶抛光片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、北京大学 、深圳大学 、中国电子科技集团公司第十三研究所 。

近年来，以AlN晶体为代表的超宽禁带半导体材料在应用基础研究以及产业政策方面受到了极大重视。

科技部2017年发布国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项“第三代半导体的衬底制备及同质外延”-课题2即为“高质量AlN单晶衬底制备技术”；2022年国家自然科学基金委信息学部重点项目指南第55点：高透过率大尺寸氮化铝单晶衬底制备；科技部“新型显示与战略性先进电子材料”重点专项2022年度项目申报指南中任务2.14“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”。

AlN作为直接带隙半导体材料，具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强、极高的热导率、良好的光学和力学等性质，在紫外探测、微波功率器件、电力电子器件和紫外LED等领域具有巨大应用潜力。

国内目前中国电子科技集团公司第四十六研究所和奥趋光电公司等单位具备稳定供应小批量1～2英寸AlN晶体的能力。

目前各主要研发单位都在致力于提高晶体质量、稳定生长工艺、为应用器件单位提供样片、器件试制等工作，为开拓、扩大AlN晶体相关产业规模奠定基础。

然而，国内产品的整体质量及产量相对于国外还有较大差距。

制定AlN单晶抛光片产品标准，规范光电探测器件和微波功率器件用AlN单晶抛光片的产品质量，可以为科研、生产、使用提供统一的技术和质量依据及必要的保障，提高氮化铝单晶抛光片质量，进而提升器件的质量和军事装备的整机性能和可靠性。

本文件规定了氮化铝单晶抛光片的主要技术要求，如表面质量、厚度、尺寸、表面粗糙度、位错密度及X射线衍射摇摆曲线半峰宽等。 还规定了氮化铝单晶抛光片各技术参数的检验方法、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。