国家标准计划《氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 新疆新特新能材料检测中心有限公司 、新疆晶硕新材料有限公司 、洛阳中硅高科技有限公司 、青海芯测科技有限公司 。

随着新材料产业的蓬勃发展，氮化硅材料在工业中的应用价值也被广泛的认可，作为高附加值的硅材料衍生品，氮化硅具有优异的物理化学特性，在冶金、机械、化工、军工、光伏等领域具有广泛的用途，且被认为是前景最为广阔、无法替代的材料。

（1）在光伏行业，可用作多晶硅还原炉电级保护的磁环。

（2）在冶金领域，可以用于制作坩埚，马弗炉炉膛，燃烧嘴，发热体夹具，铸模，铝业导管，热电偶保护套管，铝电解槽衬里等热工设备上的部件。

（3）在机械领域，可以用于制作高速车刀，轴承，金属部件热处理的支承件，转子发动机刮片，燃气轮机的导向叶片和涡轮叶片。

（4）在化工领域，可以用作球阀，泵体，密封环，过滤器，热交换器部件以及固定化触媒载体，燃烧舟，蒸发皿。

（5）在半导体领域，可以用于制造开关电路基片，薄膜电容器，承受高温或温度剧变的电绝缘体。

（6）在军工领域，可以用于制作陶瓷装甲，整流罩，雷达天线罩，导弹尾喷管，原子反应堆中的支承件和隔离件，核裂变物质的载体。

在《中国制造2025》中第三章战略任务和重点的第六条大力推动重点领域突破发展第九款：新材料中明确国家对新材料的发展需要及支持。

以特种金属功能材料、高性能结构材料、功能性高分子材料、特种无机非金属材料和先进复合材料为发展重点，加快研发先进熔炼、凝固成型、气相沉积、型材加工、高效合成等新材料制备关键技术和装备，加强基础研究和体系建设，突破产业化制备瓶颈。

积极发展军民共用特种新材料，加快技术双向转移转化，促进新材料产业军民融合发展。

高度关注颠覆性新材料对传统材料的影响，做好超导材料、纳米材料、石墨烯等，做好产品升级。

由于国内氮化硅的民用化研究刚刚起步，高纯氮化硅市场尚未完全打开，高纯氮化硅粉体则基本全部依赖进口。

国际领先的氮化硅粉体生产企业主要有日本的宇部兴产、DENKA电气化学，德国的Starck、Alz，瑞典的Kemanord等。

因此国内相对应的基础方法和标准很少，对市场的有效运行造成了困难，对材料的发展流通不利，该标准的制定对氮化硅粉体的发展优化有很大的促进作用。

高纯多晶硅生产的还原工序，在还原炉运行1100℃的高温下，炉内所有辅材中的杂质会有析出，沉积到高纯多晶硅中影响产品的质量，目前国内已采用性能优异的氮化硅制品代替原有的石墨器件，不但降低了生产成本，更提高了产品品质。

氮化硅粉体作为生产氮化硅制品的基础原料，氮化硅粉体中杂质含量的控制就显得非常重要，目前国内没有氮化硅粉体杂质（铁、铝、钙）检测方法标准，因此制定此标准有利于行业规范和市场交易。

本文件规定了氮化硅粉体中铁、钙、铝含量的测定方法。 本文件适用于氮化硅粉体中铁、钙、铝的测定，测试范围为0.001 μg/g～4.00 mg/g。本标准方法原理：氮化硅粉体样品用氢氟酸、硝酸消解后，在电热板上加热除去硅、氟等，残渣用硝酸溶解。试样溶液引入电感耦合等离子体光谱仪，在选定的最佳测定条件下，测量试液中各元素的含量。