国家标准计划《表面化学分析 深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析》由 TC608（全国表面化学分析标准化技术委员会）归口 ，主管部门为中国科学院。

主要起草单位 中石化石油化工科学研究院有限公司 。

本标准等同采用ISO国际标准：ISO 23170:2022。

采标中文名称:表面化学分析 深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析。

自20世纪80年代初发明以来，中等能量离子散射术（MEIS）一直被认为是一种具有单原子深度分辨的表面和界面组成定量分析方法。

MEIS已广泛用于超薄膜，特别是纳米栅极氧化物分析，以确定其成分、厚度和界面。

最近，MEIS被用于纳米颗粒分析，以确定具有核壳结构样品的尺寸和组成。

随着电子设备的持续缩小，对准确和可靠的深度剖析的要求已经超出了溅射深度剖析的极限，因为溅射损伤导致提供的深度剖析结果变差。

本文件研究了三种类型的能量分析器、离子种类和用于MEIS分析的入射离子的不同能量范围之间的一致性，并建立MEIS定量分析的步骤，为准确无损测定硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜的厚度提供了方法保障。

规定了一种使用中能离子散射谱（MEIS）对硅衬底上无定形重金属氧化物超薄膜进行定量深度剖析的方法。描述了为获得较好的不确定度，对实验条件进行优化和限定的方法。使用本文档中规定的MEIS分析程序，根据本方法，无定形或多晶超薄膜测定的不确定性可以低于10%。 精确测量了在Si衬底上有一层12nm SiO2层的基底上生长的标称厚度分别为1nm、3nm、5nm和7nm HfO2薄膜的MEIS谱。