国家标准计划《 碳化硅外延片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、山西烁科科技股份有限公司 、中国电科半导体材料有限公司 、芜湖启迪半导体有限公司 、东莞市天域半导体科技有限公司 。

碳化硅外延片作为典型的宽禁带半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率等优异的电学性能，特别适用于制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件，在太阳能风能发电、轨道交通、智能电网、白色家电、电动汽车等领域具有广泛的应用。

《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建立碳化硅标准；《新材料产业发展指南》中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》中关键战略材料-三、第284项对应碳化硅外延片。

碳化硅外延是在碳化硅单晶抛光片上经过化学反应生长一层导电类型、载流子浓度、厚度等都符合要求的碳化硅单晶薄膜的半导体工艺技术。

碳化硅外延材料的制备作为承上启下的一环，在整个产业链中具有重要的地位。

世界各国均将碳化硅材料作为第三代半导体战略发展的首选对象，美国更是在中美贸易战打响之前，就已经对我国实行碳化硅材料全面禁运封锁。

我国的碳化硅材料已经发展多年，被认定是最有可能实现弯道超车、领先国际同行的先进半导体材料。

无论碳化硅单晶片还是碳化硅外延片都必须走国产化道路，力争实现自主可控，才能摆脱受制于人的窘境。

国内碳化硅外延片的制备技术发展迅速，已实现批量生产，亟需制定碳化硅外延片产品的国家标准，规范产品的生产、检验和使用行为，提高技术标准化能力，推动国内电力电子技术提升，打破国外技术壁垒，推动我国带动“新能源革命”的“绿色能源”——碳化硅基大功率器件的研究及应用，促进我国电子材料领域的产业升级和结构调整。

本标准规定了碳化硅外延片的产品分类：按导电类型分为N型和P型，同时规定了碳化硅外延片的要求，主要有碳化硅单晶衬底的导电类型、厚度、电阻率、微管密度、衬底级别；外延层的掺杂浓度、厚度以及允许偏差、表面缺陷种类、缺陷密度、表面粗糙度等。另外规定了试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于导电类型为N型和P型的碳化硅外延片，产品主要用于碳化硅半导体功率器件及光电器件。