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国家标准计划《微束分析 分析电子显微术 层状材料截面图像中界面位置的确定方法》由 TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 北京科技大学

目录

基础信息

计划号
20214163-T-469
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2021-10-13
申报日期
2020-12-04
公示开始日期
2021-07-22
公示截止日期
2021-08-05
标准类别
方法
国际标准分类号
71.040.40
71 化工技术
71.040 分析化学
71.040.40 化学分析
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会
执行单位
全国微束分析标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

起草单位

采标情况

本标准等同采用ISO国际标准:ISO 20263:2017。

采标中文名称:微束分析 分析电子显微术 层状材料截面图像中界面位置的确定方法。

目的意义

多层材料是半导体器件、各类传感器、光学元件涂层、新功能材料等领域常见的一类基础材质。

在评估产品和验证加工过程中,层厚是决定多层材料特性的因素之一。

测定层厚的首要条件是测定准确的界面位置。

在实际应用中,经常使用截面TEM/STEM图像测量总厚或单层厚度以及检查界面浮动的均匀性等。

如何操作才能准确地测定多层材料中不同层之间的界面位置,至今在国内还没有相关标准作为测定的依据,为了规范该项参数的测定方法,获得可靠的结果,迫切需要制定相关标准。

范围和主要技术内容

本标准可广泛应用于各类传感器,半导体器件、光学涂层元件、以及复合材料、增材制造等领域解决界面位置测定以及纳米层厚度测定的技术问题。 本标准主要是规范多层材料界面位置的确定方法。以实例结合理论阐述的方式,说明了确定多层材料界面位置的测量步骤及数据分析方法。主要内容包括:术语与定义;样品制备及要求;获取截面TEM/STEM图像的方法及要求;通过分析不同类型界面数码像测定不同类型界面位置的步骤。附录给出相关的应用实例。