国家标准计划《微束分析 分析电子显微术 层状材料截面图像中界面位置的确定方法》由 TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。
主要起草单位 北京科技大学 。
71 化工技术 |
71.040 分析化学 |
71.040.40 化学分析 |
本标准等同采用ISO国际标准:ISO 20263:2017。
采标中文名称:微束分析 分析电子显微术 层状材料截面图像中界面位置的确定方法。
多层材料是半导体器件、各类传感器、光学元件涂层、新功能材料等领域常见的一类基础材质。
在评估产品和验证加工过程中,层厚是决定多层材料特性的因素之一。
测定层厚的首要条件是测定准确的界面位置。
在实际应用中,经常使用截面TEM/STEM图像测量总厚或单层厚度以及检查界面浮动的均匀性等。
如何操作才能准确地测定多层材料中不同层之间的界面位置,至今在国内还没有相关标准作为测定的依据,为了规范该项参数的测定方法,获得可靠的结果,迫切需要制定相关标准。
本标准可广泛应用于各类传感器,半导体器件、光学涂层元件、以及复合材料、增材制造等领域解决界面位置测定以及纳米层厚度测定的技术问题。 本标准主要是规范多层材料界面位置的确定方法。以实例结合理论阐述的方式,说明了确定多层材料界面位置的测量步骤及数据分析方法。主要内容包括:术语与定义;样品制备及要求;获取截面TEM/STEM图像的方法及要求;通过分析不同类型界面数码像测定不同类型界面位置的步骤。附录给出相关的应用实例。