国家标准计划《区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 、乐山市产品质量监督检验所 、亚洲硅业（青海）股份有限公司 。

多晶硅作为太阳能电池生产的主要原材料，是发展绿色能源不可或缺的原料。

目前我国是全球最大的多晶硅生产国家，国内太阳能级多晶硅万吨级生产企业超过10家，总产能超过34万吨。

另外多晶硅是重要的半导体材料，90%以上的半导体元器件是用硅材料制成的。

在电子工业中，多晶硅被视为“微电子大厦的基石”。

目前国内电子工业用半导体级多晶硅主要依赖进口，国内仅有黄河水电和鑫华半导体两家企业能够产出电子级多晶硅。

近年来随着极大规模集成电路产业和N型高效太阳能电池的发展，对多晶硅品质的要求也越来越高，相应的产品标准GB/T 25074-2017《太阳能级多晶硅》已完成修订并发布，GB/T 12963-2014《电子级多晶硅》也已立项修订。

现行GB/T 29057-2012《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》标准为国内首次制定的关于区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准，其制定并发布，对我国多晶硅行业内生产企业控制产品质量起到了重要的作用。

多晶硅的三五族杂质、电阻率、氧碳含量的测定都需要按照本标准中规定的方法将多晶硅转化为单晶硅后才能准确的测定，因此该标准在多晶硅行业内广泛使用，在GB/T 25074-2017等标准中被直接引用，是行业内相关生产企业质检部门硅材料样品检测的重要依据。

该标准已使用多年，随着检测手段的不断更新，标准内部分内容已不能满足现行多晶硅产品标准的检测需求，并且没有氧含量技术指标的测试内容。

GB/T 29057-2012参考SEMI MF1723-1104进行编制，原标准中部分要求及参考文件也是参照SEMI标准。

在使用GB/T 29057-2012时需参照SEMI的其他标准，严重限制了国内多晶硅企业及检测机构对多晶硅的评价测试，而目前已有相关的国内标准直接代替SEMI标准。

本次通过修订增加氧含量技术指标的测试内容，使该标准满足现行多晶硅产品标准的检测要求，规范和提升国内实验室检测高纯多晶硅的水平，这对促进我国高纯多晶硅生产质量和极大规模集成电路产业以及N型高效太阳能电池发展具有重要的意义。

1、本标准适用于用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒。包括多晶硅棒取样、将样品采用气氛区熔工艺拉制成单晶、以及通过光谱分析法对制备好的单晶硅棒进行分析，进而确定多晶硅棒中施主杂质浓度、受主杂质浓度及碳、氧杂质浓度。 2、主要修订内容： 1）根据GB/T 1.1调整标准结构，使其更符合使用习惯； 2）增加区熔质量影响因素内容； 3）明确规定区熔样品的工艺参数； 4）增加氧浓度技术指标的测试内容，通过实验确定最佳的氧浓度样片取样位置，对多晶硅中的氧浓度进行准确测量； 5）结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行广泛征集意见，进行适当修改。 通过修订，使GB/T 29057更为完整、先进，以满足新实施的多晶硅产品标准GB/T 12963-2014电子级多晶硅及GB/T 25074-2017太阳能级多晶硅的要求。