国家标准计划《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、北京天科合达半导体股份有限公司 。

碳化硅材料是在近十年发展起来的第三代新型宽禁带半导体材料。

该材料具有高出传统硅数倍的宽禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，是典型的新材料。

《重点新材料首批次应用示范指导目录（2018版）》中“关键战略材料”-“三、先进半导体材料和新型显示材料”中“146 碳化硅单晶衬底”；《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中的“二（二）4先进半导体材料”中“建立碳化硅、氮化镓、氮化硼等第三代宽禁带半导体材料标准……”；《工业和信息化部、发展改革委、科技部、财政部关于印发新材料产业发展指南的通知》（工信部联规[2016]454号）中“四、重点任务-（一）突破重点应用领域急需的新材料”中“加强大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅单晶……生产技术研发，解决极大规模集成电路材料制约”。

随着大数据传输、云计算、AI技术、物联网，包括下一步的能源传输等的不断建设，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，而碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。

面临市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。

因此，快速检测碳化硅单晶抛光片的表面质量及微管密度，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段。

本标准旨在确定一个准确可靠的碳化硅抛光片微管密度及表面质量检测方法和标准化的检测机制，这对于碳化硅抛光片的研发、生产和应用过程中产品质量的统一控制有重要的意义。

本方法适用于经化学机械抛光及最终清洗后的碳化硅抛光片的微管密度及表面质量的快速检测。 本方法的主要原理：采用共焦点微分干涉光学系统，入射光（546 nm）通过诺马斯基棱镜和物镜后照射到晶片表面，晶片表面反射的光线通过共聚焦光学系统到达检测器（CCD），对待测晶片进行全表面扫描，获得晶片表面各个位置的真实图像，与预设的各种缺陷的特征参数信息相比较，对抓捕到的缺陷进行分类识别并对缺陷的数量进行统计，可以获得各类缺陷在晶片表面的分布图，以及各类缺陷的数量。 本方法拟规定碳化硅抛光片微管、划痕、凹坑、突起、颗粒等的测试条件、样品要求、测试参数、测试步骤、干扰因素等技术内容。