国家标准计划《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、浙江省硅材料质量检验中心 、有研半导体材料有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、浙江海纳半导体有限公司 。

半导体单晶材料的电学性能对后续的器件性能有决定性的作用，其中电阻率是最直接、最重要的参数之一，直接反映出了晶体的纯度和导电能力。

在器件设计时，根据器件的种类、特性及制作工艺等条件，对半导体单晶材料电阻率的均匀性和可靠性都有一定的要求，因此半导体材料电阻率的测试显得至关重要。

目前常用的半导体材料电阻率测试方法主要有四探针法、二探针法、霍尔测试方法、非接触涡流测试方法等，不同的方法适用的电阻率范围不同。

GB/T 6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》中提到的涡流技术作为一种无损检测方法，在国内外已经得到了长足的发展并日趋成熟，目前该方法已广泛应用于硅、低阻砷化镓、低阻碳化硅等材料的电阻率的测试。

GB/T 6616-2009目前仅适用于硅片电阻率的测试，没有涉及其它半导体材料。

因此建议参照SEMI MF673-0317标准，修订GB/T 6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》，增加低阻砷化镓、低阻碳化硅单晶的测试，扩大适用范围，避免类似标准的重复制定。

本次主要对GB/T 6616-2009以下内容进行修订： 1、对本标准的范围进行修订，增加低阻砷化镓、低阻碳化硅的适用范围。 2、修订方法原理、仪器设备和干扰因素等条款中仅适用于硅片的内容。 3、增加低阻砷化镓、低阻碳化硅单晶电阻率测试过程中的测试步骤。 4、增加低阻砷化镓、低阻碳化硅单晶电阻率的测试精密度，提供实验室比对重复性和再现性测试结果。 5、修订测试环境条件。 6、增加第七章样品，对样品尺寸、表面质量等提出要求。 本方法的主要原理：通过计算涡流感应的反馈量对被检测物进行无接触的检测，当载有交变电流的检测线圈靠近被测导体，由于线圈上交变磁场的作用，被测导体感应出涡流并产生与原磁场方向相反的磁场，部分抵消原磁场，导致检测线圈电阻和电感变化。