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国家标准计划《集成电路 电磁发射测量 第2部分:辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 中国电子技术标准化研究院北京智芯微电子科技有限公司华大半导体有限公司联合汽车电子有限公司矽力杰半导体技术(杭州)航天772所工信部电子第五研究所天津市滨海新区军民融合创新研究院等

目录

基础信息

计划号
20213162-T-339
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2021-08-24
申报日期
2019-10-23
公示开始日期
2021-01-15
公示截止日期
2021-01-29
标准类别
方法
国际标准分类号
31.200
31 电子学
31.200 集成电路、微电子学
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 61967-2:2005。

采标中文名称:集成电路 电磁发射测量 第2部分:辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法。

目的意义

本标准的目的是规定用TEM小室和GTEM小室两种测试方法测量集成电路的辐射发射。

其意义在于为集成电路的辐射电磁发射测量提供了测量依据,从而可以从集成电路的角度控制辐射电磁发射、提高整机的EMC性能,为考核和提高我国集成电路产品的电磁兼容性提供了依据和可能。

范围和主要技术内容

本测量程序规定了集成电路(IC)的电磁辐射测量方法。IC将安装在印刷电路板上,在TEM或GTEM中进行测试。主要技术内容包括测量原理、测量条件、试验仪器、试验布置、试验过程和试验报告。