国家标准计划《表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法》由 TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 。

本标准等同采用ISO国际标准：ISO 17560-2014(E)。

采标中文名称:表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法。

硼是半导体硅材料中的一种重要P型杂质元素，其在硅中浓度分布直接影响到硅材料及器件的性能，本标准提供一种采用二次离子质谱对硅中硼定量深度剖析分析的方法，按照本方法测试，可得到硼在硅中浓度随深度分布的定量测试结果，这对于半导体材料及器件等领域的科研生产有重要意义。

本方法适用：适用于采用二次离子质谱对单晶硅、多晶硅、非晶硅中硼元素进行深度剖析。 技术内容：对硅中硼参考物质进行二次离子质谱分析，确定相对灵敏度因子，进而测试并标定硅测试样品中的硼浓度；采用针式表面轮廓仪或光学干涉量度仪测试离子溅射坑深，从而对溅射深度定标。