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国家标准计划《碳化硅单晶》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

目录

基础信息

制修订
制订
项目周期
24个月
申报日期
2018-03-13
公示开始日期
2019-11-12
公示截止日期
2019-11-26
标准类别
产品
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

目的意义

1、 中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要,第二篇第二十三章第一节 提升新兴产业支撑作用,提出大力推进先进半导体的专栏8 战略性新兴产业发展行动,(五)高端材料中提出大力发展碳化硅等下一代半导体材料。

2、 新材料产业发展指南,四、重点任务,(一)突破重点应用领域急需的新材料。

专栏1 新材料保障水平提升工程中提出大力发展大尺寸碳化硅单晶。

3、 国发〔2016〕43号 国务院关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知,第二篇 构筑国家先发优势 第五章 构建具有国际竞争力的现代产业技术体系,四、发展新材料技术中提出大力发展先进功能材料技术,重点是第三代半导体材料。

4、 科技部关于印发《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,(一)总体目标中提出大力发展第三代半导体材料。

(二)战略性先进电子材料中提出大力发展高质量第三代半导体衬底。

碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表)之后,在近十年发展起来的第三代新型宽禁带半导体材料。

目前国际上能够生产SiC晶片的公司主要集中在欧美及日本,而国内以北京天科合达半导体股份有限公司为代表的高新技术企业已成为SiC产业化的主力军,在国际市场已占有一席之地。

碳化硅晶体的国产化,可以促进企业进入下游外延、器件和模块产业的国产化进程,在国内形成了完整的产业链,推动了我国碳化硅半导体产业的发展。

天科合达公司晶片产品除内销外,大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区,成为我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。

自2009年以来,天科合达公司连续被国际著名半导体咨询机构YOLE公司列为全球碳化硅晶体主要制造商之一。

碳化硅单晶的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。

该材料具有高出传统硅数倍的宽禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点,随着碳化硅产业的发展,产业链分工细化是必然的趋势,会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家,碳化硅单晶会单独交易,因此有必要单独制定碳化硅单晶标准。

制定此标准,是为了规范用于半导体及电力电子行业的6H和4H碳化硅单晶的产品要求,界定可以满足不同用途的产品质量标准,强化碳化硅生产企业的质量控制管理,减少半导体行业对碳化硅单晶要求存在的质量分歧,杜绝碳化硅单晶生产行业内的不规范经营和不正当竞争。

范围和主要技术内容

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。技术要求主要包括:直径、电阻率、晶向、参考面取向、晶体完整性、杂质含量等。 本标准适用于物理气相传输法制备的4H 及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。