国家标准计划《氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 。

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

GaN单晶的研制，迫切需要对GaN材料中重要杂质进行检测，特别是重要掺杂剂镁元素的测试，因为掺Mg量对生长 P型 GaN有重要影响：要获得高空穴载流子浓度的 P型 GaN,Mg的掺杂量必须控制好。

掺Mg量较小时,GaN∶Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到P型层；掺Mg量过大时 ,会形成与Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用，得不到高空穴浓度的 P型 GaN。

二次离子质谱法可以分析从氢到铀的所有元素及同位素，具有很高的灵敏度，是检测镁掺杂量的一个重要手段。

本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）测定氮化镓材料中镁含量的方法。 本标准适用于氮化镓材料中镁元素的定量分析。 方法原理：在高真空条件下，氧离子源产生的一次离子，经过加速、纯化、聚焦后，轰击样品表面，溅射出多种粒子，将其中的离子（即二次离子）引出，通过质谱仪将不同荷质比的离子分开，记录并计算样品中镁与镓的二次离子强度比（Mg+/Ga+），然后利用相对灵敏度因子进行定量。