国家标准计划《碳化硅单晶抛光片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司 。

1、 中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要，第二篇 实施创新驱动发展战略 第二十三章 支持战略性新兴产业发展，第一节 提升新兴产业支撑作用，提出大力推进先进半导体。

专栏8 战略性新兴产业发展行动，（五）高端材料中提出大力发展碳化硅等下一代半导体材料。

2、 新材料产业发展指南，四、重点任务，（一）突破重点应用领域急需的新材料。

专栏1 新材料保障水平提升工程中提出大力发展大尺寸碳化硅单晶。

3、 国发〔2016〕43号 国务院关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知，第二篇　构筑国家先发优势 第五章　构建具有国际竞争力的现代产业技术体系，四、发展新材料技术中提出大力发展先进功能材料技术，重点是第三代半导体材料。

4、 科技部关于印发《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，（一）总体目标中提出大力发展第三代半导体材料。

（二）战略性先进电子材料中提出大力发展高质量第三代半导体衬底。

碳化硅材料是继第一代半导体材料（以硅为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后，在近十年发展起来的第三代新型宽禁带半导体材料。

目前国际上能够生产SiC晶片的公司主要集中在欧美及日本，而国内以北京天科合达蓝光半导体有限公司为代表的高新技术企业已成为SiC产业化的生力军，在国际市场已占有一席之地。

该标准所覆盖的碳化硅抛光片的最大尺寸是4英寸，现今6英寸的产品已进入市场，并且逐渐成为主流产品，因此要修订此标准，是为了规范用于半导体及电力电子行业的6英寸6H和4H碳化硅抛光片的产品要求，界定可以满足不同用途的产品质量标准，强化碳化硅生产企业的质量控制管理，减少半导体行业对碳化硅衬底要求存在的质量分歧，杜绝碳化硅晶片生产行业内的不规范经营和不正当竞争。

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本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容等。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。 主要修订内容如下： ——增加了6英寸碳化硅单晶抛光片及其各项质量要求； ——增加了位错密度的要求。