国家标准计划《半导体材料牌号表示方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 浙江省硅材料质量检验中心 、有色金属技术经济研究院 。

《半导体材料牌号表示方法》国家标准是1993年起草并发布实施的，该标准中规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。

近些年，随着科学技术的飞速发展，半导体材料产品种类逐步增加，有的也已经被新的品种所替代，例如目前多晶硅的生产方法主要分为改良西门子法、硅烷法，与原来的铸造法不同；多晶硅用途也分为半导体电子级和太阳能级；多晶的形状也增加了颗粒状多晶硅等等。

为此原来的牌号表示方法难以区分，而且半导体材料中的碳化硅材料、砷化镓材料等都未列入标准的范围，为了规范半导体材料牌号的表示方法，更好地为半导体材料生产企业服务，提出修订该标准。

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片、碳化硅、砷化镓等产品的牌号表示方法。 结合目前中国的实际情况，收集半导体材料企业的信息和需求，特别是碳化硅、太阳能及LED产品的企业，扩大标准的范围，使标准更具有科学性和合理性，更好地为企业所用，服务于企业。　 标准起草单位根据行业的需求，广泛征求意见，修改了标准中多晶、单晶的生产方法或特殊用途的表示方法，包括：X表示改良西门子法、G表示硅烷法、Ｒ表示还原法、Ｚ表示区熔法、IR表示红外光学用途、D表示电子级、S表示太阳能级；增加了多晶形状中的颗粒多晶，这也是目前在广泛应用的品种之一；增加了太阳能行业大量生产的铸锭法晶锭；还增加了晶片种类中的太阳能切割片等。