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国家标准计划《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

主要起草人 丁丽周智慧郝建民蔺娴等

目录

项目进度

当前标准计划

20091225-T-469 已发布

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

基础信息

计划号
20091225-T-469
制修订
制定
项目周期
36个月
下达日期
2009-12-15
标准类别
方法
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

起草人

丁丽
周智慧
郝建民
蔺娴

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