国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373:2006。

采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的温度偏置稳态试验。

偏压温度不稳定性(Bias Temperature Instability: BTI)是CMOS的基本退化机制之一，它指的是当在PMOS(NMOS)器件上施加一个正(负)电压打开沟道时，器件的阈值电压（绝对值，后同）、栅极漏电流增大，饱和电流、跨导减小的现象。

国内微电子工艺发展迅速，最小线宽从0.5微米到0.25微米、65纳米、再到14纳米发展的同时，半导体器件的栅氧的厚度不断减薄，而由于功耗的限制半导体器件的工作电压并不能成比例地降低，这导致了栅氧间的电场强度越来越大，BTI退化越来越严重，直接影响到半导体器件的可靠性。

为消除潜在缺陷，确保半导体器件在整个产品寿命期间有良好的可靠性，需要对半导体器件的温度偏置稳态效应进行定量评价。

半导体器件-MOSFET晶体管的温度偏置稳态试验方法的建立，将对MOSFET晶体管的温度偏置稳态效应给出定量考核依据，对提高半导体器件的可靠性，保证整机系统的高可靠起到巨大的推动作用。

描述圆片级的NMOS和PMOS晶体管的温度偏置稳态试验，以确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的温度偏置稳态效应的寿命时间。 主要技术内容包括：直流应力下的测试结构要求、应力时间和应力条件选择、样品量、温度、失效判据和寿命计算方法，包括交流应力下的寿命时间计算方法。