国家标准计划《硅基MEMS制造技术 纳米厚度膜抗拉强度检测方法》由 TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 北京大学等 。

经过半个世纪的发展，微机电系统（MEMS）已成为继集成电路后又一对国民经济和综合国力具有重大影响的战略高科技领域。

在新增市场牵动下，连续多年增长率超过20%，其中硅基MEMS占据了绝大多数产品份额。

与微电子芯片注重微纳结构电学指标不同，跨学科的MEMS芯片更关注结构的力学、光学等特性。

这一特殊性导致多数MEMS芯片还在采用反复试错的研发方式，缺少有效的微纳结构特性表征方式支持芯片结构的性能和可靠性设计，以及工艺质量监控方法。

本标准涉及一种采用片上试验机的在线原位微纳结构力学参数检测方法，可用于MEMS芯片制造工艺质量监控，作为交付用户的依据；提供微纳结构特性参数作为MEMS芯片设计依据；为微纳技术研究提供有效的材料试验手段。

该标准的应用可减少工艺研发和芯片研制成本，为MEMS芯片规模制造提供共性基础技术支撑，同时为微纳技术研究提供材料特性分析方法，推动MEMS的产业化进程和微纳技术研究的发展。

本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜抗拉强度检测的要求和试验方法。本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。 纳米厚度膜抗拉强度的检测是利用驱动装置对测试装置进行加载，进而使测试装置拉伸纳米厚度膜测试结构，通过显微镜监测测试结构的形变和破坏，同时读取测试装置形变量标尺的示数来确定纳米厚度膜测试结构的抗拉强度。