国家标准计划《电热和电磁处理装置基本技术条件 第XX部分：碳化硅单晶生长装置》由 TC121（全国工业电热设备标准化技术委员会）归口 ，主管部门为中国电器工业协会。

主要起草单位 江苏星特亮科技有限公司 、西安电炉研究所有限公司 、中科钢研节能科技有限公司 、西安理工大学 、中国科学院上海硅酸盐研究所 、中国科学院沈阳科学仪器股份公司等 。

第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。

第三代半导体材料是全球战略竞争新的制高点。

美、日、欧等各国，第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。

我国已将碳化硅（SiC）和氮化镓等第三代半导体材料及应用纳入了重点发展方向，科技部、工信部、国家发改委等多部委出台多项政策予以支持，也是“863”项目、重大专项重点支持项目。

在宽禁带半导体材料领域就技术成熟度而言，碳化硅是这族材料中最高的，是宽禁带半导体的核心。

国际、国内碳化硅晶体材料发展如火如荼，美、日、欧等发达国家积极进行战略部署发展迅速。

我国多地纷纷投入巨资发展“三代半”产业。

目前，国内碳化硅晶体生产主要以“PVT”技术为主，生长设备主要是热壁法和冷壁法两种方法。

而碳化硅单晶生长装置目前还没有相应的国际标准、国家标准和行业标准，设备的命名方法、结构配置、技术要求等方面没有统一的标准执行，使得碳化硅单晶生长装置形式多样，标志混乱，配置不全、性能缺失、实验检测不统一等。

在设计制造、立项发展、用户订购、技术服务等方面造成了一定的麻烦。

因此，制定“碳化硅单晶生长装置基本技术条件”国家标准，填补国际国内空白，对规范碳化硅单晶生长装置产品、促进第三代半导体材料产业的健康发展、推动国家综合实力快速提升具有重要的现实作用和深远的历史意义。

范围：该标准适用于第三代半导体材料碳化硅单晶生长设备—碳化硅单晶生长装置。 主要技术内容：碳化硅单晶生长装置的术语定义、产品分类、设计制造、性能要求、试验方法、检验规则、标志包装、订购供货等方面的规定要求，用以指导碳化硅单晶生长装置的设计开发、推广应用、健康发展。