注册

用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
国家标准 推荐性 被代替

国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 机械电子工业部46所和4所 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止

基础信息

标准号
GB/T 14863-1993
发布日期
1993-12-30
实施日期
1994-10-01
被代替日期
2014-08-15
中国标准分类号
L41
归口单位
工业和信息化部（电子）
执行单位
工业和信息化部（电子）
主管部门
工业和信息化部（电子）

被以下标准代替

被 GB/T 14863-2013 GB/T 14863-2013 全部代替

起草单位

机械电子工业部46所和4所

相近标准(计划)

20063926-T-339  用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 11068-1989  砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
20021944-T-610  砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 11068-2006  砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
20065633-T-469  硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-1993  硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009  硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2021  硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
20181807-T-469  硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
  • 版权所有 侵权必究
  • 主管：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
  • 主办：国家市场监督管理总局国家标准技术审评中心
  • 技术支持：北京中标赛宇科技有限公司
  • 支持电话：010-82261036
  • 备案号：京ICP备09001239号-6
全文
意见建议