注册

国家标准计划《表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染》由 TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口上报,TC38SC2(全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 中国计量科学研究院

目录

基础信息

计划号
20192091-T-469
制修订
制订
项目周期
18个月
下达日期
2019-07-12
申报日期
2018-07-26
公示开始日期
2019-04-01
公示截止日期
2019-04-18
标准类别
方法
国际标准分类号
71.040.40
71 化工技术
71.040 分析化学
71.040.40 化学分析
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会
执行单位
全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

采标情况

本标准等同采用ISO国际标准:ISO 14706: 2014。

采标中文名称:表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染。

目的意义

硅片表面元素污染的控制在半导体工业中非常重要,目前通常采用全反射X射线荧光光谱法(TXRF)对它们进行测定。

随着超大规模集成电路(ULSI)制造的发展,目前要求对硅片表面含量极低(低于1010 atoms/cm2)的元素杂质进行测定。

在TXRF分析中,低含量杂质元素标准物质非常重要,但由于表面污染问题常常导致标准物质的使用寿命有限。

因此,需要对工作标准物质的制备方法和测量方法进行规定和标准化。

拟制定的国家标准对硅片工作标准物质制备和测量方法进行规定,它在利用TXRF方法测定硅片表面元素污染以及半导体产业的产品质量控制与保证方面具有重要的应用价值。

范围和主要技术内容

拟制定的本国家标准对机械抛光或外延型硅片表面污染的原子表面密度进行测定。元素原子数从16到92,污染元素的原子密度从1010 atoms/cm2到1014 atoms/cm2,使用气相分解样品制备方法可使污染元素的原子表面密度5×108 atoms/cm2到5×1012 atoms/cm2。主要技术内容包括术语和定义、原理、仪器设备、试样制备和测量环境、校准试样制备、安全性、测量过程、结果表示、精密度、测试报告和资料性附录等。