国家标准计划《高纯锑》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 峨眉山市峨半高纯材料有限公司 。

现行的国家标准GB/T 10117—2009《高纯锑》，2009年实施，距今已经9年。

随着锑生产工艺的成熟和应用市场的扩大，客户对锑产品提出了更高、更新的需求和技术要求。

掺锑的N型硅单晶生长过程中，如果硼、镓等杂质元素过多易造成单晶硅反型，锑中的重金属杂质元素会影响锑化物晶体的电学参数和器件性能，因此需要对现有标准中规定的锑中金、铅、砷等金属杂质含量进行修订，增加硼、镓、锡等杂质元素含量的要求。

其次，随着检测设备的更新和检测技术的成熟，高纯锑的检测方法已由YS/T 35-2012《高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法》代替了YS/T35.1~35.4 《高纯锑化学分析方法》。

综上所述，GB/T 10117—2009《高纯锑》中的技术要求已不能满足行业需要，检测手段已不适应检测行业的发展，因此提出修订，增加相应的杂质元素、调整个别杂质的控制上限值、修订检测方法已势在必行。

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与GB/T 10117-2009相比，主要有如下变动： 1.将规范性引用文件中“YS/T 35（所有部分） 高纯锑化学分析方法”改为“YS/T 35《高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法》”； 2. 在规范性引用文件中增加GB/T8170《数值修约规则与极限数值的表示和判定》； 3.对化学成分表1，牌号Sb-05、Sb-06增加杂质元素B、Ga、Sn的要求，修订Au、Pb上限值；增加“注1：用户对其他杂质元素要求提供检测数据时，可由双方协商解决。注2：高纯锑的含量为100%减去表中所列杂质(包括但不限于所列杂质）实测总和的余量。”； 4.修改了取样和制样的规定。根据YS/T 35《高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法》检测方法的取样和制样规定，应该按照如下方法进行采样和制样：在每批产品中随机抽取3～5瓶样品，将样品熔化成液态并混合均匀，用样品勺取100g，制成3个平行样。取样过程中应避免样品沾污。 将样品制成棒形，其截面积为2mm2～9mm2，长度为20mm，或样品制成直径20mm左右、表面光滑平整、无缩孔的饼状，每份样品的重量为20 g～30 g。 5.在检验结果的判定中增加“分析结果的数值修约规则和判定方法按GB/T8170的规定进行，修约数位应与表1规定或供需双方商定的极限数位一致，判定方法采用修约比较法。” 6.将“标志、包装、运输、贮存” 修改为“标志、包装、运输、贮存和质量证明书”。