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国家标准计划《硅单晶电阻率测定方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

主要起草人 李静何秀坤张继荣段曙光

目录

项目进度

基础信息

计划号
20060505-T-469
制修订
修订
项目周期
12个月
下达日期
2005-12-30
全部代替标准
GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

起草人

李静
何秀坤
张继荣
段曙光

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。

采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。

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