国家标准计划《电子工业用气体 三氟化氮》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 西南化工研究设计院有限公司 、浙江省化工研究院 、湖北省标准化与质量研究院 、湖北光谷标准创新科技有限公司等 。

三氟化氮在常温下是一种无色、无臭、性质稳定的气体，是一种强氧化剂。

三氟化氮在微电子工业中作为一种优良的等离子蚀刻气体，在离子蚀刻时裂解为活性氟离子，这些氟离子对硅和钨化合物，高纯三氟化氮具有优异的蚀刻速率和选择性（对氧化硅和硅），它在蚀刻时，在蚀刻物表面不留任何残留物，是非常良好的清洗剂，同时在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的运用。

目前，国内的三氟化氮标准（GB/T 21287-2007）纯度为99.996%，该标准只能适用于平板显示行业需求，对于300nm以上圆晶、28吋以下半导体制程中的清洗要求不能满足，建议重新修订该标准。

本标准规定了三氟化氮的技术要求，试验方法，检验规则及产品的包装、标志、运输、贮存及安全要求。 本标准适用于以无水氟化氢和液氨为原料，经电解后得到三氟化氮粗品，粗品纯化后产出电子工业用三氟化氮。它主要用于半导体技术领域。 修订的内容如下： ——修改范围（见第1章，2007年版的第1章）； ——修改规范性引用文件（见第2章，2007年版的第2章）； ——修改技术要求（见第3章，2007年版的第3章）； ——修改抽样、判定和复验要求（见4.1，2007年版的4.1）； ——修改氮、氧（氩）、四氟化碳、氧化亚氮、一氧化碳、二氧化碳、六氟化硫含量的测定方法（见4.4，2007年版的4.3、4.4）； ——修改水含量测定方法（见4.5， 2007年版的4.6）； ——修改标志、包装、贮运及安全（见第5章,2007年版的第5章）； ——删除资料性附录Ａ（2007年版的附录 A）。 ——删除资料性附录B（2007年版的附录 B）。 删除规范性附录C（2007年版的附录 C）。