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国家标准计划《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

目录

基础信息

计划号
20181809-T-469
制修订
修订
项目周期
24个月
下达日期
2018-10-15
申报日期
2016-03-25
公示开始日期
2018-05-09
公示截止日期
2018-05-24
标准类别
方法
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

目的意义

原标准GB/T 1551-2009版本干扰因素中对于环境条件的要求规定较为严苛,温度和光照虽然会对电阻率产生一定影响,但是可以通过给出修正系数的方式解决,附录中给出了18℃~28℃范围硅的电阻率温度系数,可以在较宽的温度范围内对电阻率测试结果进行校正,建议修改环境温度条件为(23±3)℃,光照条件也建议改为尽量在较暗的光线下测试,通过实验得出光照系数对电阻率测试结果给予修正。

修订后的标准会更加符合目前电阻率测试实际,方便相关企事业单位的使用。

范围和主要技术内容

本标准规定了硅单晶电阻率的测定方法,包括直排四探针法和直流两探针法。本次修订主要对原标准内容中干扰因素进行修改,放宽测试时的温度和光照条件,通过实验给出温度系数和光照系数对电阻率测试结果进行修正。另外,在直排四探针法中将硅单晶电阻率范围按p型和n型分别规定、增加了引用标准、增加了对使用试剂的要求;直流两探针法中增加了干扰因素。