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国家标准计划《硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 南京国盛电子有限公司有研半导体材料有限公司

目录

基础信息

计划号
20173545-T-469
制修订
制订
项目周期
24个月
下达日期
2018-01-09
申报日期
2017-02-10
公示开始日期
2017-10-19
公示截止日期
2017-11-02
标准类别
方法
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

目的意义

集成电路和光伏产业是信息技术产业的核心,是国家重要的基础性、先导性和战略性产业,是推动国民经济和信息化发展最主要的高新技术。

近10年来,我国的集成电路和光伏产业发展迅猛,但是核心工艺技术水平和世界先进水平仍有一定差距,其中硅片在制作使用过程中的金属杂质控制与检测是提升器件性能的重要手段与指标。

硅片是半导体制造业的基础材料,在制造工艺生产过程中硅片表面极其少量金属污染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差,有统计表明,在电力电子元器件和光伏产品制造业中50%产品良率的降低都是由于污染造成的。

因此在制造生产过程中对硅片表面杂质污染的控制极为重要,检测需非常严格。

随着ICP-MS(电感耦合等离子体质谱分析法)技术的不断革新,以及其杰出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力,现已成为硅片表面污染测试监控中一种必不可少的手段。

本标准的制定将规范硅片表面金属杂质的测定方法,利于行业的统一和对产品质量的把控。

范围和主要技术内容

本标准适用于半导体级硅单晶片和太阳能电池用硅单晶片、硅多晶片以及硅外延片等硅片表面金属元素含量的测定。硅片尺寸为2 Inch~12 Inch,检出限为108 atoms/cm2。 本标准规定了制样方法、检测仪器、检测方法设定规则以及测试环境、操作步骤、精密度等。

国内外简要情况说明

1.目前国内未见相同标准,国外也尚未针对使用ICP-MS方法检测硅片表面金属元素含量的单独标准。通过制定该标准,有利于规范行业的技术发展,同时对我国硅片制造产业有良好的促进作用。 2.目前国内外都没有相同标准,我们力争将该标准成为国际水平。 3.该标准将与其他测试标准一起成为目前硅片标准的配套标准。 4.本标准不存在知识产权问题。