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国家标准计划《砷化镓单晶》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会

主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司

目录

基础信息

计划号
20181810-T-469
制修订
修订
项目周期
24个月
下达日期
2018-10-15
申报日期
2017-02-10
公示开始日期
2018-05-09
公示截止日期
2018-05-24
标准类别
产品
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

目的意义

砷化镓(GaAs)单晶材料是目前生产量最大、应用最广泛,因而也是最重要的化合物半导体材料之一,是仅次于硅的第二代半导体材料。

由于其优越的性能和能带结构,使其在微波器件和发光器件等方面具有很大的发展空间,具有广阔的市场前景。

砷化镓单晶作为一种新型的电子信息材料,近年来技术水平的发展十分迅速。

近年来,砷化镓单晶的技术水平较10年前有了很大的提高,用途也得到了拓展,主要体现在如下几个方面: 1、砷化镓单晶的直径、重量不断增大,生长及加工工艺日趋成熟。

2、4英寸、6英寸砷化镓单晶均已批量生长,砷化镓晶片也已经规模化生产和应用。

3、在材料性能上,目前的砷化镓单晶与以往相比,国内外客户要求位错密度更低,材料的电学和光学性能更加优化。

目前国内砷化镓单晶生长,以及开盒即用砷化镓单晶片的产业链已经打通,砷化镓单晶的质量水平影响下游的产业链,原有的标准GB/T 20228-2006所规定的直径、电阻率范围、位错密度等指标已远远满足不了客户的市场需求,鉴于砷化镓单晶近几年的迅速发展,提出对“GB/T 20228-2006砷化镓单晶”标准进行修订,以引导砷化镓行业发展,满足市场需求和促进技术进步。

范围和主要技术内容

本次修订的砷化镓单晶标准与GB/T 20228-2006相比,主要变动如下: ——修改规范性引用文件内容,删除GJB 1927 砷化镓单晶材料测试方法; ——3.1中“砷化镓体单晶”修改为“砷化镓单晶”; ——删除表1中的LEC三个字母,增加电阻率三字; ——修改表1中SI(半绝缘)的掺杂剂、电子迁移率、电阻率范围,增加截面电阻均匀性; ——重新规定表2中位错密度的级别; ——7.5.1中的产品“尺寸”修改为产品“电学参数”; ——删除8.1.2中需方名称、地址、电话、传真。