国家标准计划《砷化镓单晶》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 。

砷化镓（GaAs）单晶材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料之一，是仅次于硅的第二代半导体材料。

由于其优越的性能和能带结构，使其在微波器件和发光器件等方面具有很大的发展空间，具有广阔的市场前景。

砷化镓单晶作为一种新型的电子信息材料，近年来技术水平的发展十分迅速。

近年来，砷化镓单晶的技术水平较10年前有了很大的提高，用途也得到了拓展，主要体现在如下几个方面： 1、砷化镓单晶的直径、重量不断增大，生长及加工工艺日趋成熟。

2、4英寸、6英寸砷化镓单晶均已批量生长，砷化镓晶片也已经规模化生产和应用。

3、在材料性能上，目前的砷化镓单晶与以往相比，国内外客户要求位错密度更低，材料的电学和光学性能更加优化。

目前国内砷化镓单晶生长，以及开盒即用砷化镓单晶片的产业链已经打通，砷化镓单晶的质量水平影响下游的产业链，原有的标准GB/T 20228-2006所规定的直径、电阻率范围、位错密度等指标已远远满足不了客户的市场需求，鉴于砷化镓单晶近几年的迅速发展，提出对“GB/T 20228-2006砷化镓单晶”标准进行修订，以引导砷化镓行业发展，满足市场需求和促进技术进步。

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本次修订的砷化镓单晶标准与GB/T 20228-2006相比，主要变动如下： ——修改规范性引用文件内容，删除GJB 1927 砷化镓单晶材料测试方法； ——3.1中“砷化镓体单晶”修改为“砷化镓单晶”； ——删除表1中的LEC三个字母，增加电阻率三字； ——修改表1中SI（半绝缘）的掺杂剂、电子迁移率、电阻率范围，增加截面电阻均匀性； ——重新规定表2中位错密度的级别； ——7.5.1中的产品“尺寸”修改为产品“电学参数”； ——删除8.1.2中需方名称、地址、电话、传真。